(2008年8月7日,北京)东芝今天宣布推出多款最大容量为32GB的嵌入式NAND闪存模块，并宣布这些产品完全符合e-MMC^＊2和eSD^＊3标准。这些嵌入式产品用于移动数码消费产品，包括手机和数码相机。样品将于2008年9月出厂，从第四季度开始量产。

该款32GB嵌入式新产品采用东芝先进的43nm制程技术，收纳了8枚32Gbit（=4GB）的NAND芯片和一个专用控制器。新产品完全符合JEDEC/MMCA Ver 4.3^＊4和SDA Ver 2.0^＊5标准以及MultiMediaCard Association（多媒体卡协会）和SD Card Association（SD卡协会）专为记忆卡定义的高速存储器标准，支持标准接口连接和简化嵌入，从而减小产品制造商的开发负担。

东芝提供一系列单封装嵌入式NAND闪存，这些闪存产品都包括一个控制器，可用于管理NAND应用的基本控制功能：配备一个NAND接口的LBA-NAND^＊6存储器；带有SD接口的eSD大容量芯片；以及配备一个HS-MMC接口的e-MMC。这个综合产品系列的容量从1GB到32GB不等，支持在各种产品中的应用。

随着带有降低开发要求、便于系统设计集成的控制器功能的存储器需求不断扩大，东芝已经采取行动，在这个不断扩大的市场上占领领先地位，同时加入更大容量的模块，这将有助于巩固公司的地位。

^＊1   截止2008年8月东芝调查数据

^＊2   e-MMC是MultiMediaCard Association（多媒体卡协会）的注册商标

^＊3   eSD是SD Association（SD卡协会）的注册商标

^＊4    JEDEC/MMCA Ver. 4.3：JEDEC/MMCA（MultiMediaCard Association）规定的存储卡标准规格之一

^＊5     SDA Ver. 2.0：SDA（SD卡协会）规定的存储卡标准规格之一

^＊6     LBA-NAND为东芝集团的注册商标。

新产品的概要

e-MMC

型号	容量	封装	样品出货	量产时间	量产规模
THGBM1G8D8EBAI2	32GB	169Ball FBGA 14x18x1.4mm	2008年10月	2008第4季度 （10月～12月）	总体 100万个/月
THGBM1G7D8EBAI0	16GB	169Ball FBGA 12x18x1.4mm	2008年9月	2008第4季度 （10月～12月）
THGBM1G7D4EBAI2	16GB	169Ball FBGA 14x18x1.4mm	2008第4季度 （10月～12月）	2008第4季度
THGBM1G6D4EBAI4	8GB	169Ball FBGA 12x18x1.3mm	2008年9月	2008第4季度 （10月～12月）
THGBM1G5D2EBAI7	4GB	169Ball FBGA 12x16x1.3mm	2008年10月	2008第4季度 （10月～12月）
THGBM1G4D1EBAI7	2GB	169Ball FBGA 12x16x1.3mm	2008第4季度 （10月～12月）	2009年第1季度 （1月～3月）
THGBM1G3D1EBAI8	1GB	153Ball FBGA 11.5x13x1.2mm	2008第4季度 （10月～12月）	2009年第1季度 （1月～3月）

eSD

型号	容量	封装	样品出货	量产时间	量产规模
THGVS4G8D8EBAI2	32GB	169Ball FBGA 14x18x1.4mm	2008年9月	2008第4季度 （10月～12月）	总体 50万个/月
THGVS4G7D8EBAI0	16GB	169Ball FBGA 12x18x1.4mm	2008年9月	2008第4季度 （10月～12月）
THGVS4G7D4EBAI2	16GB	169Ball FBGA 14x18x1.4mm	2008第4季度 （10月～12月）	2008第4季度
THGVS4G6D4EBAI4	8GB	169Ball FBGA 12x18x1.3mm	2008年9月	2008第4季度 （10月～12月）
THGVS4G5D2EBAI4	4GB	169Ball FBGA 12x18x1.3mm	2008第4季度 （10月～12月）	2008第4季度 （10月～12月）
THGVS4G4D1EBAI4	2GB	169Ball FBGA 12x18x1.3mm	2008第4季度 （10月～12月）	2009年第1季度 （1月～3月）
THGVS4G3D1EBAI8	1GB	153Ball FBGA 11.5x13x1.2mm	2009年第1季度 （1月～3月）	2009年第1季度 （1月～3月）

新产品的主要特征

1.  内置以JEDEC/MMCA Ver 4.3和SDA Ver 2.0规定为标准的控制器，包括用于处理写入块管理、错误修正（ECC）和驱动器软件等基本功能。这个控制器使系统开发得到简化，从而使制造商可将开发成本降到最低，同时善用时间为新产品和升级产品开拓市场。

2.      拥有从1GB到32GB的多种产品。最大容量的32GB嵌入式产品以128Kbps的位速率可以记录大约560小时的音乐数据，4小时的全高清视频^*7以及7.3小时的标清视频数据。

       ^*7高清和标清分别表示在17Mbps和9Mbps的位速率下计算。

3.      采用先进的43nm制程技术，在32GB产品中堆栈8层32Gbit（=4GB）的芯片。

32GB产品结构的SEM（扫描电子显微镜）照片

新产品的主要规格

e-MMC

型号／容量	THGBM1G8D8EBAI2	32GB
	THGBM1G7D8EBAI0 THGBM1G7D4EBAI2	16GB
	THGBM1G6D4EBAI4	8GB
	THGBM1G5D2EBAI7	4GB
	THGBM1G4D1EBAI7	2GB
	THGBM1G3D1EBAI8	1GB
接口	以JEDEC/MMC Ver. 4.3规定为标准的HS-MMC接口
电源电压	2.7～3.6V（存储器内核）／　1.7V～1.95V（接口）
总线宽度	x1 / x4 / x8
写入速度	目标10 MB/秒（时序模式） 目标18 MB/秒（时序/交叉模式）*8
读取速度	目标20 MB/秒（时序模式）
工作温度	-25℃～+85℃
封装	153Ball FBGA（+16支持Ball）

^*8仅用于THGBM1G8D8EBAI2和THGBM1G7D4EBAI2
eSD

接口	以SDA Ver 2.0规定为标准的SD接口
电源电压	2.7- 3.6V
总线宽度	x1 / x4
写入速度	SDA 标准4级
读取速度	SDA标准4级
工作温度	-25℃～+85℃
封装	153Ball FBGA（+16支持Ball）

2008年08月07日 于上海

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